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      原子層沉積系統ALD

      簡要描述:原子層沉積系統ALD:ALD可實現從傳統的 0D、1D 和 2D 材料到仿生結構和混合材料、多孔模板和具有均勻控制成分和物理化學性質的三維復雜納米結構。

      • 產品型號:
      • 廠商性質:生產廠家
      • 更新時間:2022-12-10
      • 訪  問  量:1029

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      ALD可實現從傳統的 0D、1D 和 2D 材料到仿生結構和混合材料、多孔模板和具有均勻控制成分和物理化學性質的三維復雜納米結構。

      原子沉積系統ALD

      標準型(Standard )設備

      價格低、質量高、可任選附件進行搭配

      結構簡單,操作方便,后期維護簡單易行

      用途廣,適合各種基底材料

      原子層沉積系統ALD ——擴展型(Flexivol)設備

      腔室體積可根據用戶樣品的尺寸靈活調節,同一腔室可通過簡單的調節適用于不同厚度的樣品

      增多前驅體源入口數目,避免腔室體積增大對前驅體化學源氣氛分布的影響

      ALD原子層沉積系統——高度定制化(Non-Standard)設備

      為工業客戶提供薄膜沉積方案

      放大基于標準研究型設備檢驗的相同技術

      根據客戶的特殊需求,加工定制,滿足特殊應用及大規模的生產需要

      研發(R&D)服務

      開發新的薄膜沉積方案

      診斷、改進現有ALD的工藝

      為潛在的客戶做覆膜演示

      薄膜沉積工藝咨詢

      原子層沉積系統ALD技術參數

      不銹鋼材質腔室,根據客戶樣品尺寸有不同的腔室直徑(D < 200 mm, D = 200 mm, D > 200 mm)和高度(H = 20 mm, H = 50 mm)可選;前驅體進樣系統標配四路(包含冷和熱兩種前軀體),可配至八路

      前驅體進樣系統配有快速氣動閥門

      多段溫度控制

      前驅體溫控0-200 °C,精度1 °C

      腔室溫控0-300 °C ,精度1 °C

      進出腔室管路溫控0-150 °C ,精度1 °C

      基本壓強 10^?1/10^?3 mbar

      設備尺寸 1000x600x1000 mm

      觸控控制系統

      系統當前狀態信息顯示:氣流速度、溫度、壓力和閥門開度等

      工藝監控:溫度和壓力等

      偏差報警和安全鎖

      菜單操作,實時監控

      可增配選項

      等離子體發生器    借助等離子化的氣態原子替代水作為氧化物來增強ALD性能

      臭氧發生器         提供強氧化劑,增大ALD生長的前驅體選擇范圍

      石英晶體微天平    在線監測薄膜沉積的厚度

      工業及非標研發系統

      <strong>原子層沉積系統ALD</strong>(圖1)


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